Infineon bringt 1200-V-IGBT7-P7-Chip auf den Markt

Der neueste 1200-V-IGBT7-P7-Chip von Infineon wird in PrimePACK™-Modulen verwendet, um die Leistungsdichte zu erhöhen. Das neue Modul verfügt über eine hohe Stromdichte und kann das IGBT4-Modul ersetzen, um eine höhere Stromabgabe zu erzielen. Der P7-Chip weist einen geringen Sättigungsspannungsabfall auf und eignet sich für Hochleistungsanwendungen.