Infineon выпускает чип IGBT7 P7 с напряжением 1200 В

Новейший чип Infineon IGBT7 P7 на 1200 В используется в модулях PrimePACK™ для увеличения удельной мощности. Новый модуль имеет высокую плотность тока и может заменить модуль IGBT4 для достижения большего выходного тока. Чип P7 имеет низкое падение напряжения насыщения и подходит для приложений с высокой мощностью.