Infineon wprowadza na rynek MOSFET EasyDUAL™ CoolSiC™ 1200 V

Najnowszy tranzystor MOSFET EasyDUAL™ CoolSiC™ firmy Infineon o napięciu 1200 V wykorzystuje najlepszą w swojej klasie obudowę o wysokości 12 mm, z niską indukcyjnością pasożytniczą i szerokim oknem napięcia sterującego bramką. Seria obejmuje wersje z materiałami interfejsu termicznego lub bez nich i nadaje się do zastosowań takich jak sterowanie silnikami, zasilacze bezprzerwowe, ładowanie pojazdów elektrycznych i systemy fotowoltaiczne.