Infineon lancia la nuova serie di gate driver half-bridge da 1200 V 2ED132xS12x

2024-12-20 09:23
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La serie 2ED132xS12x di gate driver half-bridge da 1200 V recentemente lanciata da Infineon dispone di diodo bootstrap integrato e funzioni OCP di protezione da sovracorrente. La serie comprende quattro modelli adatti per applicazioni ad alta potenza come HVAC commerciale, pompe di calore, servoazionamenti e altro ancora. Il prodotto è confezionato in un corpo largo 300 mil, adatto per IGBT e MOSFET SiC da 1200 V.