義法半導體推出高性能氮化鎵裝置PowerGaN

義法半導體近期宣布開始量產高性能氮化鎵（GaN）裝置PowerGaN，旨在提升汽車電氣化系統的功率轉換效率。此系列產品包括SGT120R65AL和SGT65R65AL兩款工業級650V常關G-HEMT™電晶體，採用PowerFLAT 5x6 HV封裝，分別提供15A和25A的額定電流。預計在未來幾個月內，義法半導體也將推出適用於汽車領域的PowerGaN元件，以及更多功率封裝形式。