STMicroelectronics lanceert het krachtige galliumnitride-apparaat PowerGaN

STMicroelectronics heeft onlangs de start aangekondigd van de massaproductie van het krachtige galliumnitride (GaN) apparaat PowerGaN, met als doel de energieomzettingsefficiëntie van auto-elektrificatiesystemen te verbeteren. Deze serie producten omvat twee 650V normaal uitgeschakelde G-HEMT™-transistoren van industriële kwaliteit, SGT120R65AL en SGT65R65AL, die zijn verpakt in PowerFLAT 5x6 HV en nominale stromen leveren van respectievelijk 15A en 25A. Er wordt verwacht dat STMicroelectronics de komende maanden ook PowerGaN-apparaten zal lanceren die geschikt zijn voor de automobielsector, evenals meer krachtige verpakkingsvormen.