Η STMicroelectronics λανσάρει τη συσκευή νιτριδίου του γαλλίου υψηλής απόδοσης PowerGaN

Η STMicroelectronics ανακοίνωσε πρόσφατα την έναρξη της μαζικής παραγωγής της υψηλής απόδοσης συσκευής νιτριδίου του γαλλίου (GaN) PowerGaN, με στόχο τη βελτίωση της απόδοσης μετατροπής ισχύος των συστημάτων ηλεκτροδότησης αυτοκινήτων. Αυτή η σειρά προϊόντων περιλαμβάνει δύο τρανζίστορ G-HEMT™ 650V βιομηχανικής ποιότητας, SGT120R65AL και SGT65R65AL, τα οποία είναι συσκευασμένα σε PowerFLAT 5x6 HV και παρέχουν ονομαστικά ρεύματα 15A και 25A αντίστοιχα. Αναμένεται ότι μέσα στους επόμενους μήνες, η STMicroelectronics θα κυκλοφορήσει επίσης συσκευές PowerGaN κατάλληλες για τον τομέα της αυτοκινητοβιομηχανίας, καθώς και περισσότερες φόρμες συσκευασίας ισχύος.