STMicroelectronics выпускает высокопроизводительное устройство на основе нитрида галлия PowerGaN

Компания STMicroelectronics недавно объявила о начале массового производства высокопроизводительного устройства PowerGaN на основе нитрида галлия (GaN), целью которого является повышение эффективности преобразования энергии в системах электрификации автомобилей. В эту серию продуктов входят два нормально выключенных транзистора G-HEMT™ промышленного класса с напряжением 650 В, SGT120R65AL и SGT65R65AL, которые выполнены в корпусе PowerFLAT 5x6 HV и обеспечивают номинальный ток 15 А и 25 А соответственно. Ожидается, что в ближайшие несколько месяцев STMicroelectronics также выпустит устройства PowerGaN, подходящие для автомобильной отрасли, а также другие формы силовых корпусов.