STMicroelectronics kompaniyasi PowerGaN yuqori samarali galiy nitridi qurilmasini ishga tushirdi

STMicroelectronics yaqinda avtomobillarni elektrlashtirish tizimlarining quvvat konvertatsiya qilish samaradorligini oshirishga qaratilgan yuqori samarali galiy nitridi (GaN) qurilmasi PowerGaNni ommaviy ishlab chiqarish boshlanganini e'lon qildi. Ushbu mahsulotlar qatoriga ikkita sanoat darajasidagi 650V normal o'chirilgan G-HEMT™ tranzistorlari, SGT120R65AL va SGT65R65AL kiradi, ular PowerFLAT 5x6 HV ga qadoqlangan va mos ravishda 15A va 25A nominal oqimlarni ta'minlaydi. Kelgusi bir necha oy ichida STMicroelectronics avtomobil sanoati uchun mos keladigan PowerGaN qurilmalarini, shuningdek, ko'proq quvvatli qadoqlash shakllarini ham ishga tushirishi kutilmoqda.