STMicroelectronics lansira visoko zmogljivo napravo PowerGaN iz galijevega nitrida

STMicroelectronics je pred kratkim napovedal začetek množične proizvodnje visoko zmogljive naprave PowerGaN iz galijevega nitrida (GaN), katere cilj je izboljšati učinkovitost pretvorbe električne energije v sistemih za elektrifikacijo avtomobilov. Ta serija izdelkov vključuje dva tranzistorja industrijskega razreda 650 V normalno izklopljen G-HEMT™, SGT120R65AL in SGT65R65AL, ki sta pakirana v PowerFLAT 5x6 HV in zagotavljata nazivni tok 15 A oziroma 25 A. Pričakuje se, da bo STMicroelectronics v naslednjih nekaj mesecih lansiral tudi naprave PowerGaN, primerne za avtomobilsko področje, ter več močnih embalažnih oblik.