Az STMicroelectronics piacra dobja a nagy teljesítményű, gallium-nitrid PowerGaN készüléket

Az STMicroelectronics a közelmúltban bejelentette a nagy teljesítményű gallium-nitrid (GaN) PowerGaN készülék tömeggyártásának megkezdését, amelynek célja az autóipari villamosítási rendszerek energiaátalakítási hatékonyságának javítása. Ez a terméksorozat két ipari minőségű 650 V-os normál kikapcsolt G-HEMT™ tranzisztort tartalmaz, az SGT120R65AL-t és az SGT65R65AL-t, amelyek PowerFLAT 5x6 HV-be vannak csomagolva, és 15A, illetve 25A névleges áramot biztosítanak. Várhatóan a következő hónapokban az STMicroelectronics is piacra dobja az autóipar számára megfelelő PowerGaN eszközöket, valamint további teljesítménycsomagolási formákat.