STMicroelectronics משיקה מכשיר גליום ניטריד בעל ביצועים גבוהים PowerGaN

STMicroelectronics הכריזה לאחרונה על תחילת ייצור המוני של מכשיר גליום ניטריד (GaN) בעל ביצועים גבוהים PowerGaN, במטרה לשפר את יעילות המרת הכוח של מערכות חשמול לרכב. סדרת מוצרים זו כוללת שני טרנזיסטורי G-HEMT™ בדרגה תעשייתית 650V, SGT120R65AL ו-SGT65R65AL, ארוזים ב-PowerFLAT 5x6 HV ומספקים זרמים מדורגים של 15A ו-25A בהתאמה. צפוי שבחודשים הקרובים, STMicroelectronics תשיק גם מכשירי PowerGaN המתאימים לתחום הרכב, כמו גם צורות אריזות כוח נוספות.