STMicroelectronics გამოუშვებს მაღალი ხარისხის გალიუმის ნიტრიდის მოწყობილობას PowerGaN

STMicroelectronics-მა ცოტა ხნის წინ გამოაცხადა მაღალი ხარისხის გალიუმის ნიტრიდის (GaN) მოწყობილობის PowerGaN მასობრივი წარმოების დაწყება, რომელიც მიზნად ისახავს გააუმჯობესოს საავტომობილო ელექტროფიკაციის სისტემების ენერგიის კონვერტაციის ეფექტურობა. პროდუქციის ეს სერია მოიცავს ორ სამრეწველო ხარისხის 650 ვოლტიან G-HEMT™ ტრანზისტორს, SGT120R65AL და SGT65R65AL, რომლებიც შეფუთულია PowerFLAT 5x6 HV-ში და უზრუნველყოფს ნომინალურ დენებს შესაბამისად 15A და 25A. მოსალოდნელია, რომ მომდევნო რამდენიმე თვეში STMicroelectronics ასევე გამოუშვებს PowerGaN მოწყობილობებს, რომლებიც შესაფერისია საავტომობილო სფეროსთვის, ისევე როგორც ენერგიის შეფუთვის მეტი ფორმები.