ST und MACOM entwickeln erfolgreich Hochfrequenz-Galliumnitrid auf einem Silizium-Prototypchip

STMicroelectronics und MACOM gaben bekannt, dass der gemeinsam entwickelte Hochfrequenz-Galliumnitrid-auf-Silizium-Prototypchip (RF GaN-on-Si) erfolgreich hergestellt wurde. Von dieser Technologie wird erwartet, dass sie die Hochleistungsanforderungen der mobilen 5G/6G-Infrastruktur erfüllt und die Kosten senkt. Derzeit befindet sich der Prototyp-Chip in der Phase der Zertifizierungstests und wird voraussichtlich im Jahr 2022 in Massenproduktion gehen.