ST e MACOM desenvolvem com sucesso nitreto de gálio de radiofrequência em protótipo de chip de silício

STMicroelectronics e MACOM anunciaram que o protótipo de chip de nitreto de gálio em silício (RF GaN-on-Si) desenvolvido em conjunto foi fabricado com sucesso. Espera-se que esta tecnologia atenda às necessidades de alto desempenho da infraestrutura móvel 5G/6G e reduza custos. Atualmente, o protótipo do chip entrou na fase de testes de certificação e deverá atingir a produção em massa em 2022.