ST y MACOM desarrollan con éxito nitruro de galio por radiofrecuencia en un chip prototipo de silicio

STMicroelectronics y MACOM anunciaron que el prototipo de chip de nitruro de galio sobre silicio (RF GaN-on-Si) desarrollado conjuntamente se ha fabricado con éxito. Se espera que esta tecnología satisfaga las necesidades de alto rendimiento de la infraestructura móvil 5G/6G y reduzca los costos. Actualmente, el prototipo de chip ha entrado en la etapa de prueba de certificación y se espera que alcance la producción en masa en 2022.