ST an MACOM entwéckelen erfollegräich Radiofrequenz Galliumnitrid op Silizium Prototyp Chip

STMicroelectronics an MACOM hunn ugekënnegt datt de gemeinsamt entwéckelte Radiofrequenz Galliumnitrid op Silizium (RF GaN-on-Si) Prototyp Chip erfollegräich hiergestallt gouf. Dës Technologie gëtt erwaart d'High-Performance Bedierfnesser vun 5G / 6G mobilen Infrastruktur z'erreechen an d'Käschte ze reduzéieren. De Moment ass de Prototyp Chip an d'Zertifizéierungsteststadium agaangen an ass erwaart Masseproduktioun am Joer 2022 z'erreechen.