Η ST και η MACOM αναπτύσσουν με επιτυχία νιτρίδιο γαλλίου ραδιοσυχνοτήτων σε πρωτότυπο τσιπ πυριτίου

Η STMicroelectronics και η MACOM ανακοίνωσαν ότι το πρωτότυπο τσιπ νιτριδίου γαλλίου σε πυρίτιο (RF GaN-on-Si) που αναπτύχθηκε από κοινού με ραδιοσυχνότητες έχει κατασκευαστεί με επιτυχία. Αυτή η τεχνολογία αναμένεται να καλύψει τις ανάγκες υψηλής απόδοσης της κινητής υποδομής 5G/6G και να μειώσει το κόστος. Επί του παρόντος, το πρωτότυπο τσιπ έχει εισέλθει στο στάδιο δοκιμών πιστοποίησης και αναμένεται να επιτευχθεί μαζική παραγωγή το 2022.