ST и MACOM успешно разработали прототип радиочастотного нитрида галлия на кремниевом чипе

Компании STMicroelectronics и MACOM объявили об успешном изготовлении совместно разработанного прототипа радиочастотного чипа из нитрида галлия на кремнии (RF GaN-on-Si). Ожидается, что эта технология удовлетворит потребности мобильной инфраструктуры 5G/6G в высокой производительности и снизит затраты. В настоящее время прототип чипа вступил в стадию сертификационных испытаний и, как ожидается, будет запущен в массовое производство в 2022 году.