ST și MACOM dezvoltă cu succes nitrură de galiu cu frecvență radio pe cip prototip de siliciu

STMicroelectronics și MACOM au anunțat că prototipul de nitrură de galiu cu frecvență radio dezvoltată în comun (RF GaN-on-Si) a fost fabricat cu succes. Se așteaptă ca această tehnologie să răspundă nevoilor de înaltă performanță ale infrastructurii mobile 5G/6G și să reducă costurile. În prezent, cip-ul prototip a intrat în etapa de testare a certificării și este de așteptat să ajungă la producție în masă în 2022.