ST in MACOM uspešno razvijata radiofrekvenčni galijev nitrid na silicijevem prototipnem čipu

STMicroelectronics in MACOM sta objavila, da je bil skupaj razvit prototip čipa iz radiofrekvenčnega galijevega nitrida na siliciju (RF GaN-on-Si) uspešno izdelan. Pričakuje se, da bo ta tehnologija izpolnila visokozmogljive potrebe mobilne infrastrukture 5G/6G in zmanjšala stroške. Trenutno je prototipni čip vstopil v fazo certifikacijskega testiranja in naj bi leta 2022 dosegel množično proizvodnjo.