ST и MACOM успешно разработват радиочестотен галиев нитрид върху силициев прототип на чип

STMicroelectronics и MACOM обявиха, че съвместно разработеният прототип на радиочестотен галиев нитрид върху силиций (RF GaN-on-Si) е успешно произведен. Очаква се тази технология да отговори на нуждите от висока производителност на 5G/6G мобилната инфраструктура и да намали разходите. В момента прототипът на чипа е навлязъл в етап на тестване за сертифициране и се очаква да постигне масово производство през 2022 г.