ST і MACOM паспяхова распрацоўваюць радыёчастотны нітрыд галію на крэмніевым прататыпе чыпа

STMicroelectronics і MACOM абвясцілі, што сумесна распрацаваны прататып чыпа з нітрыду галію на крэмніі (RF GaN-on-Si) быў паспяхова выраблены. Чакаецца, што гэтая тэхналогія задаволіць патрэбы ў высокай прадукцыйнасці мабільнай інфраструктуры 5G/6G і знізіць выдаткі. У цяперашні час прататып чыпа ўвайшоў у стадыю сертыфікацыйных выпрабаванняў і, як чакаецца, дасягне серыйнай вытворчасці ў 2022 годзе.