Az ST és a MACOM sikeresen fejleszti a rádiófrekvenciás gallium-nitridet szilícium prototípus chipen

0
Az STMicroelectronics és a MACOM bejelentette, hogy sikeresen legyártották a közösen kifejlesztett rádiófrekvenciás gallium-nitrid szilícium (RF GaN-on-Si) prototípus chipet. Ez a technológia várhatóan megfelel az 5G/6G mobilinfrastruktúra nagy teljesítményű igényeinek, és csökkenti a költségeket. Jelenleg a prototípus chip a tanúsítási tesztelési szakaszba lépett, és várhatóan 2022-ben éri el a tömeggyártást.