ST і MACOM успішно розробляють радіочастотний нітрид галію на кремнієвому прототипі чіпа

STMicroelectronics і MACOM оголосили, що спільно розроблений прототип чіпа з нітриду галію на кремнії (RF GaN-on-Si) успішно виготовлений. Очікується, що ця технологія задовольнить потреби у високій продуктивності мобільної інфраструктури 5G/6G і знизить витрати. Наразі прототип чіпа перейшов на етап сертифікаційних випробувань і, як очікується, досягне масового виробництва в 2022 році.