ST और MACOM ने सिलिकॉन प्रोटोटाइप चिप पर रेडियो फ्रीक्वेंसी गैलियम नाइट्राइड सफलतापूर्वक विकसित किया

STMicroelectronics और MACOM ने घोषणा की कि सिलिकॉन (RF GaN-on-Si) प्रोटोटाइप चिप पर संयुक्त रूप से विकसित रेडियो फ्रीक्वेंसी गैलियम नाइट्राइड का सफलतापूर्वक निर्माण किया गया है। इस तकनीक से 5जी/6जी मोबाइल बुनियादी ढांचे की उच्च-प्रदर्शन आवश्यकताओं को पूरा करने और लागत कम करने की उम्मीद है। वर्तमान में, प्रोटोटाइप चिप प्रमाणन परीक्षण चरण में प्रवेश कर चुकी है और 2022 में बड़े पैमाने पर उत्पादन प्राप्त करने की उम्मीद है।