ST và MACOM phát triển thành công gallium nitride tần số vô tuyến trên chip nguyên mẫu silicon

STMicroelectronics và MACOM thông báo rằng chip nguyên mẫu tần số vô tuyến gallium nitride trên silicon (RF GaN-on-Si) được phát triển chung đã được sản xuất thành công. Công nghệ này dự kiến ​​sẽ đáp ứng nhu cầu hiệu suất cao của cơ sở hạ tầng di động 5G/6G và giảm chi phí. Hiện tại, chip nguyên mẫu đã bước vào giai đoạn thử nghiệm chứng nhận và dự kiến ​​sẽ đạt được sản xuất hàng loạt vào năm 2022.