ST និង MACOM បង្កើតប្រេកង់វិទ្យុដោយជោគជ័យ ហ្គាលីញ៉ូម នីទ្រីត នៅលើបន្ទះឈីបគំរូស៊ីលីកុន

ក្រុមហ៊ុន STMicroelectronics និង MACOM បានប្រកាសថា បន្ទះឈីបគំរូដើមនៃប្រេកង់វិទ្យុ gallium nitride នៅលើស៊ីលីកុន (RF GaN-on-Si) ត្រូវបានផលិតដោយជោគជ័យ។ បច្ចេកវិទ្យានេះត្រូវបានគេរំពឹងថានឹងបំពេញតម្រូវការដែលមានប្រសិទ្ធភាពខ្ពស់នៃហេដ្ឋារចនាសម្ព័ន្ធទូរស័ព្ទ 5G/6G និងកាត់បន្ថយការចំណាយ។ បច្ចុប្បន្ននេះ បន្ទះឈីបគំរូបានចូលដល់ដំណាក់កាលធ្វើតេស្តវិញ្ញាបនបត្រ ហើយត្រូវបានគេរំពឹងថានឹងសម្រេចបាននូវការផលិតទ្រង់ទ្រាយធំនៅឆ្នាំ 2022។