Zhanxin Electronics bringt den kompakten SiC-Gate-Treiber IVCR1412 auf den Markt

Der Gate-Treiberchip IVCR1412 von Zhanxin Electronics wird jetzt in Massenproduktion hergestellt. Er verfügt über Funktionen zur Unterdrückung negativer Spannungen und des Miller-Effekts. Er ist in einem äußerst kompakten SOT23-6-Gehäuse untergebracht und eignet sich für SiC-MOSFET, Si-MOSFET und IGBT. Dieser Chip verfügt über keinen Gate-Widerstand, was die Streuinduktivität reduziert und den dynamischen Stromverteilungseffekt verbessert. Die integrierte Abschaltspannung von -2 V unterstützt eine zuverlässige MOSFET-Abschaltung. Geeignet für Fahrzeuge mit neuer Energie und andere Branchen.