Ruichuang チームは、InAs ベースバンド間カスケード レーザーの研究で大きな進歩を遂げました。

Ruichuang Research Institute とそのフォトニクス チームは、InAs ベースバンド インターカスケード レーザー (ICL) の研究で目覚ましい成果を上げ、一連の高性能、室温連続動作マルチレーザー波長 ICL の開発に成功しました。これらのレーザーは、分子線エピタキシー技術を使用して InAs 基板上に成長し、製造された狭いリッジ デバイスの室温発振波長は 4.6 μm および 5.2 μm です。従来の GaSb ベースの ICL と比較して、InAs ベースの ICL は、長波長でのしきい値電流密度が低くなります。関連する研究結果は 2 件の雑誌論文に掲載されています。