Ruichuang komandası InAs bazalararası kaskad lazerlərinin tədqiqatında böyük bir irəliləyiş əldə etdi.

Ruichuang Tədqiqat İnstitutu və onun fotonik qrupu InAs baza zolaqlararası kaskad lazerlərinin (ICLs) tədqiqatında diqqətəlayiq nəticələr əldə etmiş və bir sıra yüksək performanslı, otaq temperaturunda davamlı işləyən çox lazer dalğa uzunluğuna malik ICL-ləri uğurla inkişaf etdirmişdir. Bu lazerlər molekulyar şüa epitaksiyası texnologiyasından istifadə edərək InAs substratlarında yetişdirilir və istehsal edilən dar silsilələr cihazları 4,6 μm və 5,2 μm dalğa uzunluqlarına malik otaq temperaturuna malikdir. Ənənəvi GaSb əsaslı ICL-lərlə müqayisədə, InAs əsaslı ICL-lər daha uzun dalğa uzunluqlarında daha aşağı hədd cərəyan sıxlığına malikdir. Müvafiq tədqiqat nəticələri iki jurnal məqaləsində dərc edilmişdir.