Ruichuang-ის გუნდმა დიდი გარღვევა მოახდინა InAs-ის ბაზათაშორისი კასკადური ლაზერების კვლევაში.

Ruichuang კვლევითმა ინსტიტუტმა და მისმა ფოტონიკის ჯგუფმა მიაღწიეს თვალსაჩინო შედეგებს InAs ბაზისური კასკადური ლაზერების (ICLs) კვლევაში და წარმატებით განავითარეს მაღალი ხარისხის, ოთახის ტემპერატურაზე უწყვეტი მოქმედი მრავალ ლაზერული ტალღის სიგრძის ICL-ების სერია. ეს ლაზერები იზრდება InAs-ის სუბსტრატებზე მოლეკულური სხივის ეპიტაქსიის ტექნოლოგიის გამოყენებით, ხოლო წარმოებულ ვიწრო ქედის მოწყობილობებს შეიძლება ჰქონდეთ ოთახის ტემპერატურის ლაზირების ტალღის სიგრძე 4,6 μm და 5,2 μm. ტრადიციულ GaSb-ზე დაფუძნებულ ICL-ებთან შედარებით, InAs-ზე დაფუძნებულ ICL-ებს აქვთ დაბალი ზღურბლის დენის სიმკვრივე უფრო დიდ ტალღის სიგრძეებზე. შესაბამისი კვლევის შედეგები გამოქვეყნებულია ჟურნალის ორ სტატიაში.