Fyrsta áfanga fjárfestingar YOFC háþróaðrar þriðju kynslóðar hálfleiðaraaflbúnaðar R&D og framleiðslugrunnverkefni er 10 milljarðar júana.

Fyrsti áfangi háþróaðrar þriðju kynslóðar hálfleiðaraaflbúnaðar YOFC R&D og framleiðslugrunnverkefni hefur heildarfjárfestingu upp á 10 milljarða júana og getur framleitt 360.000 SiC MOSFET oblátur árlega, þar á meðal epitaxy, tækjahönnun, oblátaframleiðslu, pökkun og aðra þætti.