Den första fasens investering i YOFC:s avancerade tredje generationens halvledarkraftsenhet FoU och produktionsbasprojekt är 10 miljarder yuan.

Den första fasen av YOFCs avancerade tredje generationens halvledarkraftsenhet FoU och produktionsbasprojekt har en total investering på 10 miljarder yuan och kan producera 360 000 SiC MOSFET-wafers årligen, inklusive epitaxi, enhetsdesign, wafertillverkning, förpackning och andra aspekter.