La inversión de la primera fase del proyecto de base de producción e I+D de dispositivos de energía semiconductores avanzados de tercera generación de YOFC es de 10 mil millones de yuanes.

La primera fase del proyecto base de producción e I+D de dispositivos de potencia semiconductores avanzados de tercera generación de YOFC tiene una inversión total de 10 mil millones de yuanes y puede producir 360.000 obleas MOSFET de SiC al año, incluyendo epitaxia, diseño de dispositivos, fabricación de obleas, embalaje y otros aspectos.