YOFC täiustatud kolmanda põlvkonna pooljuhtjõuseadmete teadus- ja arendustegevuse ning tootmisbaasi projekti esimese etapi investeering on 10 miljardit jüaani.

YOFC täiustatud kolmanda põlvkonna pooljuhttoiteseadmete teadus- ja arendustegevuse ning tootmisbaasi projekti esimese etapi koguinvesteering on 10 miljardit jüaani ja sellega saab aastas toota 360 000 SiC MOSFET-vahvlit, sealhulgas epitakseerimine, seadme disain, vahvlite tootmine, pakendamine ja muud aspektid.