Faza e parë e pajisjes së avancuar të energjisë gjysmëpërçuese të gjeneratës së tretë të YOFC-së për R&D dhe projektin bazë të prodhimit do të investojë 10 miliardë juanë

Faza e parë e R&D dhe projektit bazë të prodhimit të pajisjes së avancuar të energjisë gjysmëpërçuese të gjeneratës së tretë YOFC ka një investim total prej 10 miliardë juanë dhe mund të prodhojë 360,000 vafera SiC MOSFET në vit, duke përfshirë epitaksinë, dizajnin e pajisjes, prodhimin e vaferës, paketimin dhe aspekte të tjera.