YOFC की उन्नत तीसरी पीढ़ी के सेमीकंडक्टर पावर डिवाइस R&D और उत्पादन आधार परियोजना का पहला चरण निवेश 10 बिलियन युआन है।
2024-12-23 12:06
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YOFC के उन्नत तीसरी पीढ़ी के सेमीकंडक्टर पावर डिवाइस R&D और प्रोडक्शन बेस प्रोजेक्ट के पहले चरण में कुल 10 बिलियन युआन का निवेश है और यह सालाना 360,000 SiC MOSFET वेफर्स का उत्पादन कर सकता है, जिसमें एपिटैक्सी, डिवाइस डिजाइन, वेफर निर्माण, पैकेजिंग और अन्य पहलू शामिल हैं।
