YOFC ၏အဆင့်မြင့်တတိယမျိုးဆက်တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းပါဝါကိရိယာ R&D နှင့် ထုတ်လုပ်မှုအခြေခံပရောဂျက်၏ ပထမအဆင့် ရင်းနှီးမြှုပ်နှံမှုမှာ ယွမ် ၁၀ ဘီလီယံဖြစ်သည်။

YOFC ၏အဆင့်မြင့်တတိယမျိုးဆက်တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းပါဝါကိရိယာ R&D နှင့်ထုတ်လုပ်မှုအခြေခံပရောဂျက်၏ပထမအဆင့်တွင်စုစုပေါင်းရင်းနှီးမြှုပ်နှံမှုယွမ် 10 ဘီလီယံရှိပြီး epitaxy၊ စက်ပစ္စည်းဒီဇိုင်း၊ wafer ထုတ်လုပ်ခြင်း၊ ထုပ်ပိုးခြင်းနှင့်အခြားကဏ္ဍများအပါအဝင်နှစ်စဉ် 360,000 SiC MOSFET wafers ကိုထုတ်လုပ်နိုင်သည်။