YOFC Advanceds huvuddrivna SiC MOSFET wafer produktutbyte når 80 %
1200V
MOSFET
SiC MOS
SiC MOSFET
Avkastning
Avkastning
design
bas
duk
Avkastning
2024-12-23 12:06
84
Avkastningsgraden för YOFC Advanceds huvuddrivna SiC MOSFET waferprodukter baserade på 1200V Gen3 SiC MOSFET design och processplattform har nått 80%.
Prev:Aðaldrifið SiC MOSFET oblátaafurð YOFC Advanced nær 80%
Next:El rendimiento del producto de oblea MOSFET de SiC impulsado por principal de YOFC Advanced alcanza el 80%
News
Exclusive
Data
Account