El rendimiento del producto de oblea MOSFET de SiC impulsado por principal de YOFC Advanced alcanza el 80%

La tasa de rendimiento de los productos de oblea MOSFET de SiC de accionamiento principal de YOFC Advanced basados ​​en la plataforma de diseño y proceso de MOSFET de SiC Gen3 de 1200 V ha alcanzado el 80 %.