Dem YOFC Advanced säin Haaptgedriwwen SiC MOSFET Wafer Produkt Ausbezuele erreecht 80%
Si
MOSFET
Pro
SiC MOS
SiC MOSFET
Si
Prozess
Wafer
Prozess
Design
Prozess
SiC
2024-12-23 12:06
84
D'Ausbezuelungsquote vum YOFC Advanced Haaptdrive SiC MOSFET Wafer Produkter baséiert op dem 1200V Gen3 SiC MOSFET Design a Prozessplattform huet 80% erreecht.
Prev:La resa del prodotto wafer MOSFET SiC con comando principale di YOFC Advanced raggiunge l'80%
Next:Sroicheann toradh táirge sliseog SiC MOSFET príomh-tiomáinte YOFC Advanced 80%
News
Exclusive
Data
Account