Sroicheann toradh táirge sliseog SiC MOSFET príomh-tiomáinte YOFC Advanced 80%

Tá ráta toraidh táirgí sliseog SiC MOSFET príomhthiomáinte YOFC Advanced bunaithe ar an ardán dearadh agus próiseas 1200V Gen3 SiC MOSFET bainte amach 80%.