Hasil produk wafer SiC MOSFET penggerak utama YOFC Advanced mencapai 80%
gerak
MOSFET
MOSFET SiC
proses
desain
dasar
dasar
mencap
2024-12-23 12:07
84
Tingkat hasil produk wafer SiC MOSFET penggerak utama YOFC Advanced berdasarkan desain dan platform proses MOSFET SiC 1200V Gen3 telah mencapai 80%.
Prev:ຜົນຜະລິດຜະລິດຕະພັນ wafer SiC MOSFET ຕົ້ນຕໍທີ່ຂັບເຄື່ອນໂດຍ YOFC Advanced ບັນລຸ 80%
Next:Hasil produk wafer SiC MOSFET dipacu utama YOFC Advanced mencapai 80%
News
Exclusive
Data
Account