Hasil produk wafer SiC MOSFET dipacu utama YOFC Advanced mencapai 80%
1200V
MOSFET
SiC MOS
SiC MOSFET
hasil
wafer
hasil
proses
reka bentuk
hasil
SiC
dasar
2024-12-23 12:07
84
Kadar hasil produk wafer SiC MOSFET pemacu utama YOFC Advanced berdasarkan reka bentuk dan platform proses 1200V Gen3 SiC MOSFET telah mencapai 80%.
Prev:Hasil produk wafer SiC MOSFET penggerak utama YOFC Advanced mencapai 80%
Next:ទិន្នផលផលិតផល wafer SiC MOSFET ដែលជំរុញដោយចម្បងរបស់ YOFC Advanced ឈានដល់ 80%
News
Exclusive
Data
Account