Η Core Energy Semiconductor υπέγραψε συμφωνία συνεργασίας έργου με τη δημοτική κυβέρνηση του Hefei

Τον Μάιο του 2023, η Core Energy Semiconductor υπέγραψε συμφωνία συνεργασίας έργου με τη δημοτική κυβέρνηση του Hefei και σχεδιάζει να κατασκευάσει 10 αυτοματοποιημένες γραμμές παραγωγής IGBT και 5 SiC MOS στη Ζώνη Οικονομικής και Τεχνολογικής Ανάπτυξης Hefei Anchao.