Core Energy Semiconductor het 'n projeksamewerkingsooreenkoms met die Hefei Munisipale Regering onderteken
IGBT
Semi
SiC MOS
teken
Ekonomies
Tegnologie
Hefei
ring
teken
Munisipale
SiC
2023
Ontwikkeling
projek
2024-12-23 20:08
84
In Mei 2023 het Core Energy Semiconductor 'n projeksamewerkingsooreenkoms met die Hefei Munisipale Regering onderteken, en beplan om 10 IGBT en 5 SiC MOS outomatiese produksielyne in Hefei Anchao Ekonomiese en Tegnologiese Ontwikkelingsone te bou.
