门极驱动正压对功率半导体性能的影响

门极正电压可减少MOSFET和IGBT的导通损耗和开通损耗，但可能影响短路耐受能力。对于1200V IGBT，推荐使用15V驱动；而对于1200V SiC MOSFET，建议使用18V驱动。