新推出的62mm半桥模块采用2000V SiC M1H芯片

英飞凌新上市的62mm CoolSiC™ MOSFET半桥模块采用2000V SiC M1H芯片，提供2.6mΩ和3.5mΩ两种规格。该模块具有改进的VGS(th)、RDS(on)漂移和栅极驱动电压窗口性能。此外，还提供了预涂导热界面材料（TIM）版本。