英飞凌M1H CoolSiC™ MOSFET技术与可靠性分析

英飞凌推出M1H CoolSiC™ MOSFET，采用非对称沟槽栅技术，兼顾性能与可靠性。该技术有效解决了SiC MOSFET栅极氧化层可靠性问题，并提升了器件性能。M1H芯片具备低失效率和改善的栅氧化层质量，大幅减少阈值漂移。此外，该MOSFET承诺短路能力，在门极15V电压下单管具有3us的短路时间。